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RS1E280GNTB

Name: ROHM Semiconductor RS1E280GNTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS1E280GNTB
Price: 0.85 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

755-RS1E280GNTB

N° de fab. :

RS1E280GNTB

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

Fiche technique:

RS1E280GNTB Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,851 €	0,85 €
	0,704 €	7,04 €
	0,509 €	50,90 €
	0,441 €	220,50 €
	0,40 €	400,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,338 €	845,00 €
	0,324 €	1.620,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	80 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	36 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	31 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	18 ns
Transconductance directe - min.:	29 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	12.3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	61.3 ns
Délai d'activation standard:	19.9 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RS1E280GN
Poids de l''unité:	771,020 mg

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Fiche technique

RS1E280GNTB Fiche technique

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

SpiceLink

Technical Resources

Test/Quality Data

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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