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RQ7P035ATTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ7P035ATTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ7P035ATTCR
Price: 0.76 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RQ7P035ATTCR

N° de fab. :

RQ7P035ATTCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Pch -100V -3.5A Power MOSFET

Fiche technique:

RQ7P035ATTCR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Ext. Prix:

-,-- €

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Prix (EUR)

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	0,671 €	6,71 €
	0,46 €	46,00 €
	0,403 €	201,50 €
	0,367 €	367,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,321 €	963,00 €
	0,298 €	1.788,00 €
	0,295 €	2.655,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSMT-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	3.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	111 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	40 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	90 ns
Transconductance directe - min.:	6.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	12 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	190 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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