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RQ3G120BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G120BJFRATCB
Price: 1.35 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RQ3G120BJFRATCB

N° de fab. :

RQ3G120BJFRATCB

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

Cycle de vie:

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Fiche technique:

RQ3G120BJFRATCB Fiche technique

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-,-- €

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,35 €	1,35 €
	0,855 €	8,55 €
	0,57 €	57,00 €
	0,467 €	233,50 €
	0,459 €	459,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,39 €	1.170,00 €
	0,387 €	2.322,00 €
	0,372 €	3.348,00 €
	0,37 €	8.880,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSMT-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	48 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	15.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	40 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	9.8 ns
Transconductance directe - min.:	6.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	36 ns
Délai d'activation standard:	6.7 ns

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Fiche technique

RQ3G120BJFRATCB Fiche technique

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance RQ3xFRATCB

Les MOSFET de puissance RQ3xFRATCB de ROHM Semiconductor sont des MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101. Ces MOSFET disposent d'une plage de tension drain-source de -40 V à 100 V, 8 bornes, d'une dissipation d'énergie jusqu'à 69 W et d'un courant de drain continu de ±12 A à ±27 A. Les MOSFET de puissance RQ3xFRATCB sont disponibles en canal N et canal P. Ces MOSFET de puissance sont disponibles dans un petit boîtier HSMT8AG de 3,3 mm x 3,3 mm. Le MOSFET de puissance RQ3xFRATCB est idéal pour les systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS), l'infotainment, l'éclairage et la carrosserie.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.