Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

RQ3E120GNTB

Name: ROHM Semiconductor RQ3E120GNTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3E120GNTB
Price: 0.67 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-RQ3E120GNTB

N° de fab. :

RQ3E120GNTB

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

Fiche technique:

RQ3E120GNTB Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de ROHM Semiconductor RQ3E120GNTB

En stock: 29.681

Stock:: 29.681 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,671 €	0,67 €
	0,418 €	4,18 €
	0,27 €	27,00 €
	0,206 €	103,00 €
	0,186 €	186,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,158 €	474,00 €
	0,145 €	870,00 €
	0,127 €	1.143,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSMT-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	27 A
Rds On - Résistance drain-source:	8.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	10 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	3.4 ns
Transconductance directe - min.:	10 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	25.5 ns
Délai d'activation standard:	9.6 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RQ3E120GN
Poids de l''unité:	195,815 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

RQ3E120GNTB Fiche technique

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

SpiceLink

Technical Resources

Test/Quality Data

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Medium Power MOSFETs

ROHM Medium Power MOSFETs are low ON-resistance devices useful for a wide range of applications. These MOSFETs feature a broad lineup with compact, high-power, and complex types to meet various needs. ROHM Medium Power MOSFETs come in high-power small mold packages, and typical applications are for DC/DC converters and load switches.