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RGS30TSX2DGC11

Name: ROHM Semiconductor RGS30TSX2DGC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS30TSX2DGC11
Price: 7.46 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RGS30TSX2DGC11

N° de fab. :

RGS30TSX2DGC11

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT

Fiche technique:

RGS30TSX2DGC11 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,46 €	7,46 €
	5,10 €	51,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247N-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2.1 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	30 V
Courant collecteur continu de 25 C:	30 A
Pd - Dissipation d’énergie :	267 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	ROHM Semiconductor
Courant de fuite gâchette-émetteur:	500 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	IGBTs
Raccourcis pour l'article N°:	RGS30TSX2D

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Fiche technique

RGS30TSX2DGC11 Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tranchée IGBT à arrêt de champ RGSx0TSX2x

La tranchée IGBT à arrêt de champ RGSx0TSX2x de ROHM Semiconductor sont des transistors bipolaires à grille isolée 10 µs garantis SCSOA (zone de fonctionnement de sécurité contre les courts-circuits), adaptés aux convertisseurs généraux, UPS, onduleurs PV et applications de conditionneur de puissance. Les IGBT RGSx0TSX2x offrent une faible perte de conduction qui contribue à une taille réduite et un rendement amélioré. Ces composants utilisent les technologies de grille en tranchée et de couche mince d'origine. Ces technologies aident à atteindre une faible tension de saturation collecteur-émetteur (V_CE(sat)) avec des pertes de commutation réduites. Ces IGBT fournissent des économies d'énergie accrues dans une variété d'applications à courant élevé et haute tension.