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RGA80TSX2HRC11

Name: ROHM Semiconductor RGA80TSX2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGA80TSX2HRC11
Price: 9.43 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RGA80TSX2HRC11

N° de fab. :

RGA80TSX2HRC11

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

RGA80TSX2HRC11 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	9,43 €	9,43 €
	5,63 €	56,30 €
	5,11 €	511,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247N-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	2 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	30 V
Courant collecteur continu de 25 C:	105 A
Pd - Dissipation d’énergie :	468 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	ROHM Semiconductor
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TH
Courant de fuite gâchette-émetteur:	500 nA
Type de produit:	IGBTs
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Les IGBT à arrêt de champ et en tranchée RGA80Tx 1 200 V

Les IGBT à arrêt de champ et en tranchée RGA80Tx 1 200 V de ROHM Semiconductor disposent d’une faible perte de commutation et de conduction. Ces IGBT ont une tension nominale collecteur-émetteur de 1 200 V et un courant nominal collecteur-courant de 69 A. Les dispositifs RGA80Tx de ROHM Semiconductor sont idéaux pour les compresseurs électriques, les chauffages HT pour les applications automobiles et les onduleurs pour les applications industrielles.