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RFN4RSM2STL1

Name: ROHM Semiconductor RFN4RSM2STL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RFN4RSM2STL1
Price: 1.29 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

755-RFN4RSM2STL1

N° de fab. :

RFN4RSM2STL1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Redresseurs 200V 4A 13ns, TO-277A, Ultra Fast Recovery Diode

Cycle de vie:

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Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

RFN4RSM2STL1 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,29 €	1,29 €
	0,808 €	8,08 €
	0,538 €	53,80 €
	0,421 €	210,50 €
	0,384 €	384,00 €
	0,362 €	724,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4000)
	0,343 €	1.372,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Redresseurs
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-277A-3
Vr - Tension inverse:	200 V
If - Courant direct:	4 A
Type:	Ultra Fast Recovery Diode
Configuration:	Single
Vf - Tension directe:	930 mV
Courant de surtension max.:	80 A
Ir - Courant inverse:	1 uA
Délai de reprise:	36 ns
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Produit:	Rectifiers
Type de produit:	Rectifiers
Nombre de pièces de l'usine:	4000
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers

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TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

RFNxRSM2S Diodes à récupération ultra rapide

Les diodes à récupération ultra rapide RFNxRSM2S de ROHM Semiconductor sont des diodes planaires épitaxiales au silicium avec faible tension directe et faible perte de commutation. Ces diodes ultra-rapides disposent d'une tension inverse de crête de 200 V et d'une plage de température de stockage de -55 °C à 175 °C. Les diodes de récupération ultra-rapide RFNxRSM2S offrent une capacité de surcharge en courant élevé. Ces diodes sont livrées dans un boîtier TO-277A. Les diodes à récupération ultra-rapide RFNxRSM2S sont conformes à la directive RoHS et idéales pour des applications générales de redressement.