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RD3G07BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3G07BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G07BBGTL1
Price: 3.07 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RD3G07BBGTL1

N° de fab. :

RD3G07BBGTL1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

Fiche technique:

RD3G07BBGTL1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,07 €	3,07 €
	2,00 €	20,00 €
	1,40 €	140,00 €
	1,32 €	660,00 €
	1,25 €	1.250,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	1,14 €	2.850,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	150 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	56 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	89 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	62 ns
Transconductance directe - min.:	27 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	21 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	90 ns
Délai d'activation standard:	22 ns

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Fiche technique

RD3G07BBGTL1 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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