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RD3E08BBJHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3E08BBJHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3E08BBJHRBTL
Price: 2.92 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RD3E08BBJHRBTL

N° de fab. :

RD3E08BBJHRBTL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET TO252 P-CH 30V 80A

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

RD3E08BBJHRBTL Fiche technique

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,92 €	2,92 €
	1,91 €	19,10 €
	1,33 €	133,00 €
	1,14 €	570,00 €
	1,10 €	1.100,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	1,08 €	2.700,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	80 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	150 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	142 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TH
Temps de descente:	180 ns
Transconductance directe - min.:	20 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	220 ns
Délai d'activation standard:	19 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance automobile 40 A et 80 A

Les MOSFET de puissance 40 A et 80 A automobile de ROHM Semiconductor sont des dispositifs à canal N et à canal P. Ces MOSFET homologués AEC-Q101 se caractérisent par une faible résistance à l'état passant, un courant drain pulsés de ±80 A/±160 A et une dissipation d'énergie jusqu'à 142 W. Les MOSFET de puissance de 40 A et 80 A fonctionnent dans une plage de température de -55 °C à 175 °C et sont testés à 100 % en avalanche. Ces MOSFET de puissance sont parfaits pour les applications de système d'aide à la conduite (ADAS), automobile et d'éclairage.