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R8019KNZ4C13

Name: ROHM Semiconductor R8019KNZ4C13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8019KNZ4C13
Price: 8.51 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-R8019KNZ4C13

N° de fab. :

R8019KNZ4C13

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET TO247 800V N CH 19A

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

R8019KNZ4C13 Fiche technique

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,51 €	8,51 €
	6,67 €	66,70 €
	5,57 €	557,00 €
	4,73 €	2.838,00 €
	4,31 €	5.172,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247G-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	19 A
Rds On - Résistance drain-source:	265 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	65 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	208 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	60 ns
Transconductance directe - min.:	2.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	50 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	110 ns
Délai d'activation standard:	35 ns

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Fiche technique

R8019KNZ4C13 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Canal double à petit signal MOSFET

Les MOSFET à canal double à petit signal ROHM Semiconductor présentent une faible résistance et une commutation rapide. Ces MOSFET sont conforme à la directive RoHS et incluent un placage sans Pb. Les MOSFET à canal double fonctionnent sur une plage de température de -55 °C à 150 °C. Ces MOSFET sont utilisés dans les entraînements à moteur et les applications de commutation.