PSMQC042N10LS2_R2_00201 MOSFET

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Conditionnement
Panjit MOSFET 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution 5.679En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 109 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 58 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit PSMQC042N10LS2-R2-00201
Panjit MOSFET N/A