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PSMN9R8-100YSFX

Name: Nexperia PSMN9R8-100YSFX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN9R8-100YSFX
Price: 1.66 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

771-PSMN9R8-100YSFX

N° de fab. :

PSMN9R8-100YSFX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT669 100V 80A N-CH MOSFET

Fiche technique:

PSMN9R8-100YSFX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,66 €	1,66 €
	1,07 €	10,70 €
	1,04 €	52,00 €
	0,716 €	71,60 €
	0,568 €	284,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,495 €	742,50 €
	0,458 €	1.374,00 €
	0,44 €	1.980,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO8-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	80 A
Rds On - Résistance drain-source:	10.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	34 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	147 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934662279115

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Fiche technique

PSMN9R8-100YSFX Fiche technique (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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