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PSMN3R5-40YSBX

Name: Nexperia PSMN3R5-40YSBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN3R5-40YSBX
Price: 1.14 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-PSMN3R5-40YSBX

N° de fab. :

PSMN3R5-40YSBX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT669 N-CH 40V 120A

Fiche technique:

PSMN3R5-40YSBX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	1,14 €	1,14 €
	0,713 €	7,13 €
	0,698 €	34,90 €
	0,472 €	47,20 €
	0,368 €	184,00 €
	0,316 €	474,00 €
	0,292 €	876,00 €
	0,279 €	1.255,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Power-SO8-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	120 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	30 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	115 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Temps de descente:	7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	17 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934665897115

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM

Les MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM de Nexperia sont logés dans des boîtiers LFPAK56 à haut rendement et encombrants. Ces MOSFET sont classés Avalanche. Les MOSFET NextPowerS3 prennent en charge une température de jonction maximale de +175°° C. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS de l'UE. Les MOSFET NextPowerS3 disposent d’une température de brasage maximale de +260 °C et d’une plage de température de stockage de -55 °C à +175 °C. Les applications standard incluent les convertisseurs CC-CC et la commande de moteur CC brushless.