PSMN3R2-40YLBX

Nexperia
771-PSMN3R2-40YLBX
PSMN3R2-40YLBX

Fab. :

Description :
MOSFET SOT669 N-CH 40V 120A

Modèle de ECAO:
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En stock: 1.922

Stock:
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Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
1,25 € 1,25 €
0,789 € 7,89 €
0,774 € 38,70 €
0,525 € 52,50 €
0,411 € 205,50 €
0,41 € 615,00 €
0,327 € 981,00 €
0,313 € 1.408,50 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Nexperia
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
Power-SO8-4
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
3.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2.05 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
Marque: Nexperia
Configuration: Single
Temps de descente: 12 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 21 ns
Nombre de pièces de l'usine: 1500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Délai de désactivation type: 19 ns
Délai d'activation standard: 17 ns
Raccourcis pour l'article N°: 934665896115
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM

Les MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM de Nexperia sont logés dans des boîtiers  LFPAK56 à haut rendement et encombrants. Ces MOSFET sont classés Avalanche. Les MOSFET NextPowerS3 prennent en charge une température de jonction maximale de +175°° C. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS de l'UE. Les MOSFET NextPowerS3 disposent d’une température de brasage maximale de +260 °C et d’une plage de température de stockage de -55 °C à +175 °C. Les applications standard incluent les convertisseurs CC-CC et la commande de moteur CC brushless.