Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

PSMN2R2-40YSBX

Name: Nexperia PSMN2R2-40YSBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN2R2-40YSBX
Price: 1.53 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

771-PSMN2R2-40YSBX

N° de fab. :

PSMN2R2-40YSBX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT669 N-CH 40V 180A

Fiche technique:

PSMN2R2-40YSBX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Nexperia PSMN2R2-40YSBX

En stock: 1.922

Stock:: 1.922 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,53 €	1,53 €
	0,98 €	9,80 €
	0,963 €	48,15 €
	0,655 €	65,50 €
	0,518 €	259,00 €
	0,517 €	775,50 €
	0,416 €	1.248,00 €
	0,402 €	1.809,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Power-SO8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	180 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	49 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	166 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Temps de descente:	12 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Délai de désactivation type:	29 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934665893115

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM

Les MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM de Nexperia sont logés dans des boîtiers LFPAK56 à haut rendement et encombrants. Ces MOSFET sont classés Avalanche. Les MOSFET NextPowerS3 prennent en charge une température de jonction maximale de +175°° C. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS de l'UE. Les MOSFET NextPowerS3 disposent d’une température de brasage maximale de +260 °C et d’une plage de température de stockage de -55 °C à +175 °C. Les applications standard incluent les convertisseurs CC-CC et la commande de moteur CC brushless.