PSMN1R8-80SSFJ

Nexperia
771-PSMN1R8-80SSFJ
PSMN1R8-80SSFJ

Fab. :

Description :
MOSFET SOT1235 N-CH 80V 270A

Modèle de ECAO:
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En stock: 1.101

Stock:
1.101 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
7,09 € 7,09 €
4,83 € 48,30 €
4,31 € 215,50 €
3,64 € 364,00 €
3,41 € 3.410,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
2,20 € 4.400,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Nexperia
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOT-1235-4
N-Channel
1 Channel
80 V
270 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
148 nC
- 55 C
+ 175 C
341 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Nexperia
Configuration: Single
Temps de descente: 45 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 33 ns
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 90 ns
Délai d'activation standard: 40 ns
Raccourcis pour l'article N°: 934662271118
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET NextPower 80/100 V

Les MOSFET NextPower 80/100 V Nexperia sont recommandés pour les applications de commutation à haut rendement et haute fiabilité. Les MOSFET de puissance NextPower disposent d’une RDS (on) plus faible 50 % et d’une solide énergie d’avalanche nominale. Ces composants sont idéaux pour l’alimentation, les télécommunications, les conceptions industrielles, les chargeurs et adaptateurs USB-PD de Type C et les adaptateurs 48 V CC-CC. Ces composants ont de faibles pertes de diode de corps avec un Qrr pouvant descendre à 50 nano-coulombs (nC). Cela se traduit par un courant de récupération inverse plus faible (IRR), des pics de tension plus faibles (crête en V) et une sonnerie réduite pour un temps mort encore optimisé.