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PSMN1R7-40YLBX

Name: Nexperia PSMN1R7-40YLBX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R7-40YLBX
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-PSMN1R7-40YLBX

N° de fab. :

PSMN1R7-40YLBX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A

Fiche technique:

PSMN1R7-40YLBX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	0,753 €	75,30 €
	0,599 €	299,50 €
	0,523 €	784,50 €
	0,485 €	1.455,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Power-SO8-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	200 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.05 V
Qg - Charge de grille:	79 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	194 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Temps de descente:	20 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	TrenchMOS Superjunction Technology MOSFET
Délai de désactivation type:	33 ns
Délai d'activation standard:	31 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934665890115

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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM

Les MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM de Nexperia sont logés dans des boîtiers LFPAK56 à haut rendement et encombrants. Ces MOSFET sont classés Avalanche. Les MOSFET NextPowerS3 prennent en charge une température de jonction maximale de +175°° C. Ces MOSFET sont conformes à la directive RoHS de l'UE. Les MOSFET NextPowerS3 disposent d’une température de brasage maximale de +260 °C et d’une plage de température de stockage de -55 °C à +175 °C. Les applications standard incluent les convertisseurs CC-CC et la commande de moteur CC brushless.