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PSMN012-100YSFX

Name: Nexperia PSMN012-100YSFX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN012-100YSFX
Price: 1.62 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

771-PSMN012-100YSFX

N° de fab. :

PSMN012-100YSFX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT669 100V 65A N-CH MOSFET

Fiche technique:

PSMN012-100YSFX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,62 €	1,62 €
	1,03 €	10,30 €
	0,955 €	47,75 €
	0,691 €	69,10 €
	0,548 €	274,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,508 €	762,00 €
	0,391 €	1.173,00 €
	0,375 €	1.687,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO8-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	65 A
Rds On - Résistance drain-source:	11.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	29 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	130 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Temps de descente:	11 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	9.5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934662281115

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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