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PMV50XPAR

Name: Nexperia PMV50XPAR
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMV50XPAR
Price: 0.47 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

771-PMV50XPAR

N° de fab. :

PMV50XPAR

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET PMV50XPA/SOT23/TO-236AB

Fiche technique:

PMV50XPAR Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,473 €	0,47 €
	0,29 €	2,90 €
	0,185 €	18,50 €
	0,139 €	69,50 €
	0,125 €	125,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,105 €	315,00 €
	0,095 €	570,00 €
	0,085 €	765,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	3.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	60 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	7.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.096 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	68 ns
Transconductance directe - min.:	9 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	135 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934665703215

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ECCN:: EAR99

MOSFET à tranchée et canal P PMVxx

Les MOSFET à tranchée et canal P NXP sont des transistors à effet de champ (FET) à mode amélioré fournis en petit boîtier plastique SOT23 (TO-236AB) à montage en surface (CMS). Ils utilisent une technologie MOSFET en tranchée et offrent une faible tension de seuil et une commutation très rapide. Ces MOSFET sont idéaux pour des applications comme les pilotes de relais, les pilotes de ligne à haut débit, les commutateurs de charge côté bas et les circuits de commutation.
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