PMPB33XPZ

Nexperia
771-PMPB33XPZ
PMPB33XPZ

Fab. :

Description :
MOSFET PMPB33XP/SOT1220/DFN2020MD-6

Cycle de vie:
Nouveau chez Mouser
Modèle de ECAO:
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En stock: 2.970

Stock:
2.970 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
8 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,482 € 0,48 €
0,299 € 2,99 €
0,285 € 14,25 €
0,191 € 19,10 €
0,144 € 72,00 €
0,129 € 129,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,109 € 327,00 €
0,099 € 594,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Nexperia
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN2020MD-6
P-Channel
1 Channel
20 V
7.9 A
37 mOhms
12 V
900 mV
15 nC
- 55 C
+ 150 C
1.7 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Nexperia
Configuration: Single
Temps de descente: 23 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 42 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 62 ns
Délai d'activation standard: 12 ns
Raccourcis pour l'article N°: 934066872184
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET à signal faible (SSMOS) pour portables

Les MOSFET à signal faible (SSMOS) de Nexperia pour portables offrent des boîtiers WLCSP et DFN sans fil pour les applications mobiles et portables. Les boîtiers SSMOS de Nexperia fournissent une solution DFN extrêmement réduite dans la taille de pas couramment utilisée aujourd’hui du 0,35 mm. Une solution de remplacement idéale où l’espace est primordial, ces boîtiers ultra-compacts offrent un rendement d’espace significatif tout en fournissant un effort minimal sur le réglage de l’assemblage. Disponibles en canal N et canal P, tous les composants sont équipés d’une protection ESD de > 2 kV et d’une capacité de haute puissance de > 1300mW.