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PMDXB290UNEZ

Name: Nexperia PMDXB290UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB290UNEZ
Price: 0.32 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

771-PMDXB290UNEZ

N° de fab. :

PMDXB290UNEZ

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET PMDXB290UNE/SOT1216/DFN1010B-6

Fiche technique:

PMDXB290UNEZ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,327 €	0,33 €
	0,20 €	2,00 €
	0,126 €	12,60 €
	0,094 €	47,00 €
	0,075 €	75,00 €
	0,074 €	185,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,063 €	315,00 €
	0,055 €	550,00 €
	0,052 €	1.300,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-1010B-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	930 mA
Rds On - Résistance drain-source:	320 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	600 pC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	370 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	3 ns
Transconductance directe - min.:	1.9 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	5 ns
Délai d'activation standard:	1 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934665536147

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ECCN:: EAR99

MOSFET à signal faible (SSMOS) pour portables

Les MOSFET à signal faible (SSMOS) de Nexperia pour portables offrent des boîtiers WLCSP et DFN sans fil pour les applications mobiles et portables. Les boîtiers SSMOS de Nexperia fournissent une solution DFN extrêmement réduite dans la taille de pas couramment utilisée aujourd’hui du 0,35 mm. Une solution de remplacement idéale où l’espace est primordial, ces boîtiers ultra-compacts offrent un rendement d’espace significatif tout en fournissant un effort minimal sur le réglage de l’assemblage. Disponibles en canal N et canal P, tous les composants sont équipés d’une protection ESD de > 2 kV et d’une capacité de haute puissance de > 1300mW.