PJQ5437E_R2_00201 MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 38 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel
Panjit PJQ5437E-R2-00201
Panjit MOSFET
Fiche technique
N/A