PJQ4476AP-AU_R2_000A1 MOSFET

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
Panjit MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 5.882En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit PJQ4476AP-AU-R2-000A1
Panjit MOSFET N/A