Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

PJP75N06SA-AU_T0_006A1

Name: Panjit PJP75N06SA-AU_T0_006A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJP75N06SAAU06A1
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

241-PJP75N06SAAU06A1

N° de fab. :

PJP75N06SA-AU_T0_006A1

Fab. :

Panjit

Description :

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 64 A

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

PJP75N06SA-AU_T0_006A1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Panjit PJP75N06SA-AU_T0_006A1

En stock: 1.459

Stock:: 1.459 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,38 €	1,38 €
	0,655 €	6,55 €
	0,583 €	58,30 €
	0,458 €	229,00 €
	0,419 €	419,00 €
	0,384 €	960,00 €
	0,381 €	1.905,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220AB-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	64 A
Rds On - Résistance drain-source:	9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	27 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	75 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Tube
Marque:	Panjit
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	50 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	28 ns
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	7.8 ns
Poids de l''unité:	2,095 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

PJP75N06SA-AU_T0_006A1 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.