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PJP125N06SA-AU_T0_006A1

Name: Panjit PJP125N06SA-AU_T0_006A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJP125N06SAAU6A1
Price: 2.31 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

241-PJP125N06SAAU6A1

N° de fab. :

PJP125N06SA-AU_T0_006A1

Fab. :

Panjit

Description :

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A

Cycle de vie:

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Fiche technique:

PJP125N06SA-AU_T0_006A1 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220AB-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	215 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	82 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	214 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Tube
Marque:	Panjit
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	37 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	26 ns
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	66 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Poids de l''unité:	2,095 g

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.