PJD60P04E-AU_L2_006A1 MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
Panjit MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Fiche technique
2.891En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 61 A 17.2 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit PJD60P04E-AU-L2-006A1
Panjit MOSFET
Fiche technique
N/A