PJD30N15_L2_00001 MOSFET

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Min. : 3.000
Mult. : 3.000
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 90 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET TO252 150V 25A N-CH N/A

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 25 A 90 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 102 W Enhancement