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PBZTBR12.2B

Name: ROHM Semiconductor PBZTBR12.2B
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-PBZTBR12.2B
Price: 0.71 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-PBZTBR12.2B

N° de fab. :

PBZTBR12.2B

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Diodes Zener 1000mW, 0.7V, DO-214AA(SMB), Zener Diode

Cycle de vie:

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Fiche technique:

PBZTBR12.2B Fiche technique (PDF)

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,714 €	0,71 €
	0,439 €	4,39 €
	0,29 €	29,00 €
	0,227 €	113,50 €
	0,194 €	194,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,157 €	471,00 €
	0,149 €	894,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Diodes Zener
RoHS:
Vz - Tension Zener:	2.2 V
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DO-214AA-2
Pd - Dissipation d’énergie :	1 W
Ir - Courant de fuite inverse maximal:	200 uA
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Configuration:	Single
Test du courant:	40 mA
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Hauteur:	3.94 mm
Ir - Courant inverse:	200 uA
Longueur:	4.7 mm
Type de produit:	Zener Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Largeur:	2.45 mm
Courant de Zener:	200 uA

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Fiche technique

PBZTBR12.2B Fiche technique (PDF)

Specification Sheets

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100050
ECCN:: EAR99

Diodes Zener PBZTBR1x

Les diodes Zener PBZTBR1x ROHM Semiconductor disposent d’une haute fiabilité et d’un petit type de moulage électrique avec une structure planaire épitaxiale au silicium. Ces diodes Zener offrent une dissipation de d'énergie de 1 000 mW et une température de jonction de 150°° C. Les diodes Zener PBZTBR1x sont stockées sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. Ces diodes Zener sont disponibles en boîtier DO-214AA (SMB). Les diodes Zener PBZTBR1x sont utilisées dans la régulation de tension.