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NXH020F120MNF1PG

Name: onsemi NXH020F120MNF1PG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH020F120MNF1PG
Price: 110.91 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NXH020F120MNF1PG

N° de fab. :

NXH020F120MNF1PG

Fab. :

onsemi

Description :

Modules MOSFET SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET

Fiche technique:

NXH020F120MNF1PG Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
Technologie:	SiC
Série:	NXH020F120MNF1
Conditionnement:	Tray
Marque:	onsemi
Type de produit:	MOSFET Modules
Nombre de pièces de l'usine:	28
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	EliteSiC
Type:	Full Bridge

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Fiche technique

NXH020F120MNF1PG Fiche technique (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

Les MOSFET à base de SiC NXH0x0F120MNF1 onsemi sont des modules de puissance contenant un pont complet et une thermistance en boîtier F1. Ces MOSFET disposent de thermistances et de broches à insertion par pression. Les modules NXH0x0F120MNF1 fournissent à la fois un Matériau d’interface thermique (TIM) pré-appliqué et sans option de TIM pré-appliqué. Ces modules servent idéalement dans des onduleurs solaires, dans des alimentations électriques sans interruption, dans des stations de charge de véhicules électriques et dans des alimentations électriques industrielles. Les modules NXH0x0F120MNF1 sont sans plomb, sans halogénure et conformes à la directive RoHS. Ces modules sont fournis avec -40°°C à 150°°C de plage de température de stockage et une plage de température de jonction de fonctionnement de -40 °C à 175 °C.