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NXH011F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH011F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H011F120M3F2PTHG
Price: 109.54 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

863-H011F120M3F2PTHG

N° de fab. :

NXH011F120M3F2PTHG

Fab. :

onsemi

Description :

Modules MOSFET 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

NXH011F120M3F2PTHG Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Press Fit
Package/Boîte:	PIM-34
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	105 A
Rds On - Résistance drain-source:	16 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.72 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	244 W
Série:	NXH011F120M3F2PTHG
Conditionnement:	Tray
Marque:	onsemi
Configuration:	Full Bridge
Temps de descente:	12.6 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	12.7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	20
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	EliteSiC
Type:	Full Bridge
Délai de désactivation type:	110.5 ns
Délai d'activation standard:	30.9 ns
Vf - Tension directe:	5.21 V

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Fiche technique

NXH011F120M3F2PTHG Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

Les MOSFET à base de SiC NXH0x0F120MNF1 onsemi sont des modules de puissance contenant un pont complet et une thermistance en boîtier F1. Ces MOSFET disposent de thermistances et de broches à insertion par pression. Les modules NXH0x0F120MNF1 fournissent à la fois un Matériau d’interface thermique (TIM) pré-appliqué et sans option de TIM pré-appliqué. Ces modules servent idéalement dans des onduleurs solaires, dans des alimentations électriques sans interruption, dans des stations de charge de véhicules électriques et dans des alimentations électriques industrielles. Les modules NXH0x0F120MNF1 sont sans plomb, sans halogénure et conformes à la directive RoHS. Ces modules sont fournis avec -40°°C à 150°°C de plage de température de stockage et une plage de température de jonction de fonctionnement de -40 °C à 175 °C.