Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NXH007F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH007F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H007F120M3F2PTHG
Price: 149.78 EUR
Availability: InStock

N° Mouser :

863-H007F120M3F2PTHG

N° de fab. :

NXH007F120M3F2PTHG

Fab. :

onsemi

Description :

Modules MOSFET 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NXH007F120M3F2PTHG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NXH007F120M3F2PTHG

En stock: 23

Stock:: 23 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	149,78 €	149,78 €
	143,85 €	1.438,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Press Fit
Package/Boîte:	PIM-34
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	149 A
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.72 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	353 W
Série:	NXH007F120M3F2PTHG
Conditionnement:	Tray
Marque:	onsemi
Configuration:	Full Bridge
Temps de descente:	13.2 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	12 ns
Nombre de pièces de l'usine:	20
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	EliteSiC
Type:	Full Bridge
Délai de désactivation type:	121.6 ns
Délai d'activation standard:	37.2 ns
Vf - Tension directe:	5.03 V

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NXH007F120M3F2PTHG Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

Les MOSFET à base de SiC NXH0x0F120MNF1 onsemi sont des modules de puissance contenant un pont complet et une thermistance en boîtier F1. Ces MOSFET disposent de thermistances et de broches à insertion par pression. Les modules NXH0x0F120MNF1 fournissent à la fois un Matériau d’interface thermique (TIM) pré-appliqué et sans option de TIM pré-appliqué. Ces modules servent idéalement dans des onduleurs solaires, dans des alimentations électriques sans interruption, dans des stations de charge de véhicules électriques et dans des alimentations électriques industrielles. Les modules NXH0x0F120MNF1 sont sans plomb, sans halogénure et conformes à la directive RoHS. Ces modules sont fournis avec -40°°C à 150°°C de plage de température de stockage et une plage de température de jonction de fonctionnement de -40 °C à 175 °C.