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NVTFS6H888NLTAG

Name: onsemi NVTFS6H888NLTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTFS6H888NLTAG
Price: 0.94 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVTFS6H888NLTAG

N° de fab. :

NVTFS6H888NLTAG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T8 80V LL U8FL

Fiche technique:

NVTFS6H888NLTAG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	0,568 €	5,68 €
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	0,287 €	143,50 €
	0,246 €	246,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,242 €	363,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WDFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	14 A
Rds On - Résistance drain-source:	50 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	23 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NVTFS6H888NL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NVTFS6H888NLTAG Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET Trench8

Les MOSFET Trench8 d'Onsemi se caractérisent par une faible résistance maximale à l'état passant (R_DS(ON), une charge de grille (Q_g) ultra-faible et une faible (Q_g) x R_DS(ON), un facteur de mérite (FOM) essentiel pour les MOSFET utilisés dans les applications de conversion d'énergie. Dotés de performances de commutation optimisées basées sur la technologie T6, les MOSFET Trench8 offrent une réduction de 35 % à 40 % des Q_g et Q_oss de la série Trench6. Les MOSFET Trench8 onsemi sont disponibles dans une large gamme de boîtier pour une flexibilité de conception. Des options certifiées AEC-Q101 et compatibles PPAP sont disponibles pour les applications automobiles. Bon nombre de ces dispositifs sont proposés en boîtiers à flanc mouillable permettant une inspection optique automatisée (AOI).

MOSFET de puissance NVMFS6H824NLT1G et NVTFS6H888NLTAG

Les MOSFET de puissance automobiles NVMFS6H824NLT1G et NVTFS6H888NLTAG d'Onsemi sont homologués AEC-Q101 et se présentent sous la forme d'un boîtier DFN5 plat à faible empreinte pour des conceptions compactes. Ces dispositifs d'Onsemi offrent une Q_G et une capacité faibles pour minimiser les pertes de pilote et une faible R_DS(on) pour réduire les pertes en conduction. Les options de flancs mouillables (NVMFS6H824NLWF et NVTFS6H888NLWF dans un boîtier WDFN8) permettent une inspection optique améliorée. Les applications typiques comprennent les alimentations de commutation, le contrôle de moteur, les commutateurs d'alimentation (pilotes côté haut/côté bas et ponts en H), les systèmes 48 V, les convertisseurs CC/CC et les commutateurs de charge.