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NVMYS8D0N04CTWG

Name: onsemi NVMYS8D0N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS8D0N04CTWG
Price: 1.31 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMYS8D0N04CTWG

N° de fab. :

NVMYS8D0N04CTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

Fiche technique:

NVMYS8D0N04CTWG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	49 A
Rds On - Résistance drain-source:	8.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	10 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	38 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	6 ns
Transconductance directe - min.:	29 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	24 ns
Série:	NVMYS8D0N04C
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	9.5 ns
Poids de l''unité:	75 mg

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Fiche technique

NVMYS8D0N04CTWG Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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