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NVMJS2D5N06CLTWG

Name: onsemi NVMJS2D5N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJS2D5N06CLTWG
Price: 2.2 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMJS2D5N06CLTWG

N° de fab. :

NVMJS2D5N06CLTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

NVMJS2D5N06CLTWG Fiche technique

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	31 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	52 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	113 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	8.5 ns
Transconductance directe - min.:	286 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	55 ns
Série:	NVMJS2D5N06CL
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	37 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	99,445 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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