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NVMJD020N08HLTWG

Name: onsemi NVMJD020N08HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJD020N08HLTWG
Price: 1.78 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

863-NVMJD020N08HLTWG

N° de fab. :

NVMJD020N08HLTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T8 80V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

NVMJD020N08HLTWG Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	19.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	11.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	42 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	2 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Série:	NVMJD020N08HL
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	16 ns
Délai d'activation standard:	6 ns

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NVMJD020N08HLTWG Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

LFPAK8 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK8 Automotive N-channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single-power MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.