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NTTFSSCH0D7N02X

Name: onsemi NTTFSSCH0D7N02X
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSCH0D7N02X
Price: 2.23 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTTFSSCH0D7N02X

N° de fab. :

NTTFSSCH0D7N02X

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

NTTFSSCH0D7N02X Fiche technique

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WDFN-9
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	25 V
Id - Courant continu de fuite:	310 A
Rds On - Résistance drain-source:	580 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	33 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	87 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	57 ns
Transconductance directe - min.:	190 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Série:	NTTFSSCH0D7N02X
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	4 ns

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NTTFSSCH0D7N02X Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance monocanal N

Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont conçus pour des conceptions compactes et efficaces avec un encombrement réduit. Ces MOSFET de puissance disposent d’une basse R_DS(ON), d’une Q_G et d’une capacité faibles, qui réduisent au minimum les pertes en conduction et du pilote. Ces MOSFET sont disponibles en tensions drain-source de 40, 60 et 80 V et en tension grille-source ±20 V. Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont sans plomb et conformes à la directive RoHS.