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NTTFS2D1N04HLTWG

Name: onsemi NTTFS2D1N04HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS2D1N04HLTWG
Price: 1.65 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTTFS2D1N04HLTWG

N° de fab. :

NTTFS2D1N04HLTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3

Fiche technique:

NTTFS2D1N04HLTWG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,65 €	1,65 €
	1,06 €	10,60 €
	0,711 €	71,10 €
	0,564 €	282,00 €
	0,525 €	525,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,489 €	1.467,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WDFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	150 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	43.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NTTFS2D1N04HL
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NTTFS2D1N04HLTWG Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET Trench8

Les MOSFET Trench8 d'Onsemi se caractérisent par une faible résistance maximale à l'état passant (R_DS(ON), une charge de grille (Q_g) ultra-faible et une faible (Q_g) x R_DS(ON), un facteur de mérite (FOM) essentiel pour les MOSFET utilisés dans les applications de conversion d'énergie. Dotés de performances de commutation optimisées basées sur la technologie T6, les MOSFET Trench8 offrent une réduction de 35 % à 40 % des Q_g et Q_oss de la série Trench6. Les MOSFET Trench8 onsemi sont disponibles dans une large gamme de boîtier pour une flexibilité de conception. Des options certifiées AEC-Q101 et compatibles PPAP sont disponibles pour les applications automobiles. Bon nombre de ces dispositifs sont proposés en boîtiers à flanc mouillable permettant une inspection optique automatisée (AOI).

MOSFET PowerTrench® NTTFSxD1N0xHL à canal N

Les MOSFET PowerTrench® NTTFSxD1N0xHL à canal N d'Onsemi utilisent une technologie MOSFET à grille blindée haute performance pour une R_DS(on) extrêmement faible. Ces MOSFET à canal unique d'onsemi offrent des bruits de commutation/EMI faibles et une conception de boîtier robuste MSL1 testée à 100 % UIL. Les MOSFET NTTFSxD1N0xHL sont disponibles dans un boîtier WDFN8 sans plomb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS. Les applications typiques comprennent les convertisseurs Buck CC-CC, le point de charge, le commutateur de charge à haute efficacité et la commutation côté bas, les FET à joint torique, les alimentations CC-CC et les convertisseurs Buck synchrones MV.