Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NTTFD9D0N06HLTWG

Name: onsemi NTTFD9D0N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFD9D0N06HLTWG
Price: 2.42 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTTFD9D0N06HLTWG

N° de fab. :

NTTFD9D0N06HLTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

Fiche technique:

NTTFD9D0N06HLTWG Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTTFD9D0N06HLTWG

En stock: 1.633

Stock:: 1.633 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 23 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,42 €	2,42 €
	1,57 €	15,70 €
	1,08 €	108,00 €
	0,886 €	443,00 €
	0,846 €	846,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,825 €	2.475,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WDFN-12
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	38 A
Rds On - Résistance drain-source:	9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	13.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	26 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NTTFD9D0N06HL
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTTFD9D0N06HLTWG Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET Trench8

Les MOSFET Trench8 d'Onsemi se caractérisent par une faible résistance maximale à l'état passant (R_DS(ON), une charge de grille (Q_g) ultra-faible et une faible (Q_g) x R_DS(ON), un facteur de mérite (FOM) essentiel pour les MOSFET utilisés dans les applications de conversion d'énergie. Dotés de performances de commutation optimisées basées sur la technologie T6, les MOSFET Trench8 offrent une réduction de 35 % à 40 % des Q_g et Q_oss de la série Trench6. Les MOSFET Trench8 onsemi sont disponibles dans une large gamme de boîtier pour une flexibilité de conception. Des options certifiées AEC-Q101 et compatibles PPAP sont disponibles pour les applications automobiles. Bon nombre de ces dispositifs sont proposés en boîtiers à flanc mouillable permettant une inspection optique automatisée (AOI).

MOSFET à canal N NTTFD4D0N04HL et NTTFD9D0N06HL

Les MOSFET à canal N NTTFD4D0N04HL et NTTFD9D0N06HL onsemi sont des MOSFET POWERTRENCH® à double canal symétrique et raccord de recharge sous un boîtier WQFN12. Ces dispositifs comprennent deux MOSFET à canal N spécialisés dans un double boîtier. Le nœud commutateur est connecté en interne pour faciliter le placement et le routage de convertisseurs buck synchrone. Les MOSFET de contrôle (Q2) et les MOSFET synchrones (Q1) sont conçus pour fournir un rendement énergétique optimal. Les MOSFET à canal N NTTFD4D0N04HL et NTTFD9D0N06HL d'Onsemi et offrent un faible R_DS(on), un faible Q_G et une faible capacité, ainsi que de faibles pertes de conduction/pilote. Les applications typiques comprennent les convertisseurs CC-CC, les points de charge universels, les entraînements de moteurs monophasés, l'informatique et les communications