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NTMFS2D3N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS2D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS2D3N04XMT1G
Price: 1.36 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTMFS2D3N04XMT1G

N° de fab. :

NTMFS2D3N04XMT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Fiche technique:

NTMFS2D3N04XMT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,36 €	1,36 €
	0,869 €	8,69 €
	0,574 €	57,40 €
	0,471 €	235,50 €
	0,412 €	412,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,378 €	567,00 €
	0,348 €	1.044,00 €
	0,341 €	8.184,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	111 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.35 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	22.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	53 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	4.69 ns
Transconductance directe - min.:	89.2 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5.19 ns
Série:	NTMFS2D3N04XM
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	22.2 ns
Délai d'activation standard:	15.8 ns

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Fiche technique

NTMFS2D3N04XMT1G Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2024-02-06 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance 40 V

Les MOSFET de puissance 40 V d'onsemi intègrent une technologie de grille standard et offrent la meilleure résistance à l’état passant de leur catégorie. Les MOSFET onsemi sont conçus pour les applications de commande moteur. Ces composants minimisent efficacement les pertes de conduction et de pilotage avec une résistance en marche plus faible et une charge de grille réduite. De plus, les MOSFET fournissent un excellent contrôle de la douceur pour la récupération inverse de la diode du corps, atténuant efficacement la tension de crête sans nécessiter de circuit limiteur supplémentaire dans les applications.

Technologie PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.