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NTMFS0D9N04XLT1G

Name: onsemi NTMFS0D9N04XLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D9N04XLT1G
Price: 2.7 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTMFS0D9N04XLT1G

N° de fab. :

NTMFS0D9N04XLT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE

Fiche technique:

NTMFS0D9N04XLT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	2,70 €	2,70 €
	1,79 €	17,90 €
	1,25 €	125,00 €
	1,06 €	530,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	278 A
Rds On - Résistance drain-source:	900 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	70 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	136 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Transconductance directe - min.:	178 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Série:	NTMFS0D9N04XL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	53 ns
Délai d'activation standard:	21 ns

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Fiche technique

NTMFS0D9N04XLT1G Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance 40 V

Les MOSFET de puissance 40 V d'onsemi intègrent une technologie de grille standard et offrent la meilleure résistance à l’état passant de leur catégorie. Les MOSFET onsemi sont conçus pour les applications de commande moteur. Ces composants minimisent efficacement les pertes de conduction et de pilotage avec une résistance en marche plus faible et une charge de grille réduite. De plus, les MOSFET fournissent un excellent contrôle de la douceur pour la récupération inverse de la diode du corps, atténuant efficacement la tension de crête sans nécessiter de circuit limiteur supplémentaire dans les applications.