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NTHL120N60S5Z

Name: onsemi NTHL120N60S5Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL120N60S5Z
Price: 6.17 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTHL120N60S5Z

N° de fab. :

NTHL120N60S5Z

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET SUPERFET5 EASY 120MOHM

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NTHL120N60S5Z Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	28 A
Rds On - Résistance drain-source:	120 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	40 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	160 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	SIngle
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	3 ns
Transconductance directe - min.:	17.1 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13 ns
Série:	NTHL120N60S5Z
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	78 ns
Délai d'activation standard:	23 ns

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Fiche technique

NTHL120N60S5Z Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET SuperFET® V

Les MOSFET SuperFET^® V onsemi sont des MOSFET haute tension à Super-jonction (SJ) de cinquième génération. Ces dispositifs offrent le meilleur facteur de mérite (FOM) de leur catégorie (R_DS(ON)·Q_G et R_DS(ON)·E_OSS), pour améliorer le rendement non seulement sous charge lourde mais aussi sous charge légère. Les MOSFET SuperFET V 600 V offrent des avantages de conception grâce à des pertes réduites de conduction et de commutation tout en permettant des valeurs nominales extrêmes dV_DS/dt de MOSFET à 120 V/ns. La série de MOSFET SuperFET V rapide aide à maximiser le rendement du système et la densité de puissance. La gamme de MOSFET SuperFET V à entraînement facile combine d'excellentes performances de commutation sans pour autant négliger la facilité d'utilisation pour les topologies de commutation dure et progressive. Les applications standard comprennent les télécommunications, le système cloud et l'industrie.