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NTHL041N60S5H

Name: onsemi NTHL041N60S5H
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL041N60S5H
Price: 8.37 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTHL041N60S5H

N° de fab. :

NTHL041N60S5H

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET SUPERFET5 FAST 41MOHM T

Fiche technique:

NTHL041N60S5H Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,37 €	8,37 €
	5,99 €	59,90 €
	5,30 €	530,00 €
	5,26 €	2.367,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	57 A
Rds On - Résistance drain-source:	41 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	108 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	329 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NTHL041N60S5H
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NTHL041N60S5H Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET SuperFET® V

Les MOSFET SuperFET^® V onsemi sont des MOSFET haute tension à Super-jonction (SJ) de cinquième génération. Ces dispositifs offrent le meilleur facteur de mérite (FOM) de leur catégorie (R_DS(ON)·Q_G et R_DS(ON)·E_OSS), pour améliorer le rendement non seulement sous charge lourde mais aussi sous charge légère. Les MOSFET SuperFET V 600 V offrent des avantages de conception grâce à des pertes réduites de conduction et de commutation tout en permettant des valeurs nominales extrêmes dV_DS/dt de MOSFET à 120 V/ns. La série de MOSFET SuperFET V rapide aide à maximiser le rendement du système et la densité de puissance. La gamme de MOSFET SuperFET V à entraînement facile combine d'excellentes performances de commutation sans pour autant négliger la facilité d'utilisation pour les topologies de commutation dure et progressive. Les applications standard comprennent les télécommunications, le système cloud et l'industrie.