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NTH4L022N120M3S

Name: onsemi NTH4L022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L022N120M3S
Price: 16.7 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTH4L022N120M3S

N° de fab. :

NTH4L022N120M3S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1

Fiche technique:

NTH4L022N120M3S Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	10,95 €	109,50 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	68 A
Rds On - Résistance drain-source:	30 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.4 V
Qg - Charge de grille:	151 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	352 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	34 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	24 ns
Série:	NTH4L022N120M3S
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	48 ns
Délai d'activation standard:	18 ns

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Fiche technique

NTH4L022N120M3S Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC M3S

Les MOSFET EliteSiC M3S d’onsemi sont des solutions pour les applications de commutation haute fréquence qui utilisent des topologies à commutation dure. Les MOSFET M3S d’onsemi sont conçus pour optimiser les performances et l’efficacité. Le dispositif présente une réduction remarquable de ~40 % des pertes de commutation totales (Etot) par rapport aux homologues M1 de 1 200 V et 20 mΩ. Les MOSFET EliteSiC M3S sont parfaitement adaptés à diverses applications, notamment les systèmes d'alimentation solaire, les chargeurs embarqués et les stations de chargement de véhicules électriques (EV).

MOSFET SiC NTH4L au carbure de silicium

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) Onsemi NTH4L sont une famille de MOSFET planaires SiC de 1 200 V M3S. Le MOSFET présentent de faibles charges de grille et de faibles pertes decommutation. Certains modèles de MOSFET offrent une vitesse élevée de commutation avec une faible cote de capacité. La série NTH4L est testée à 100 % en avalanche et conforme à la directive RoHS. Les MOSFET NTH4L Sic d'onsemi sont idéales dans diverses applications d'alimentation, y compris les convertisseurs solaires, les stations de chargement de véhicules électriques (EV), les alimentations sans interruption (ASI), les systèmes de stockage de l'énergie stockage et les alimentations électriques à découpage (SMPS).

MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V M3S

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V M3S onsemi sont optimisés pour les applications à commutation rapide. Sa technologie planaire fonctionne de manière fiable avec un entraînement négatif de la tension de grille et des pics d'arrêt sur la grille. Les MOSFET 1 200 V onsemi M3S offrent des performances optimales avec une commande de grille 18 V mais fonctionnent aussi parfaitement avec une commande de grille 15 V. Logé dans un boîtier TO247-4LD à faible inductance de source commune, le MS3 assure de faibles pertes de commutation.