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NTB5D0N15MC

Name: onsemi NTB5D0N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB5D0N15MC
Price: 5.19 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTB5D0N15MC

N° de fab. :

NTB5D0N15MC

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 150V N-FET D2PAK

Fiche technique:

NTB5D0N15MC Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	5,19 €	5,19 €
	3,59 €	35,90 €
	2,66 €	266,00 €
	2,63 €	1.315,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	2,49 €	1.992,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	139 A
Rds On - Résistance drain-source:	5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	75 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	214 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	146 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	14 ns
Série:	NTB5D0N15MC
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	45 ns
Délai d'activation standard:	32 ns

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Fiche technique

NTB5D0N15MC Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET PowerTrench® à grille blindée

Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi sont des MOSFET à canal N qui minimisent la résistance à l'état passant et maintiennent des performances de commutation supérieures avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché. Ces MOSFET ont un facteur Q_rr inférieur à celui d'autres MOSFET. Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi réduisent le bruit de commutation/lebrouillage électromagnétique (EMI). Ces MOSFET se caractérisent par une faible R_DS(on) pour limiter les pertes en conduction et pour de faibles Q_G etcapacité, permettant de limiter les pertes de pilotes. Les MOSFET PowerTrench à grille blindée se présentent sous la forme d'un petit boîtier PQFN8 de 5 mm x 6 mm pour des conceptions compactes. Les applications typiques comprennent le redressement synchrone (SR), les alimentations électriques CA-CC et CC-CC, les adaptateurs AC-DC (USB Power Delivery) SR, et les commutateurs de charge.

Entraînement de moteurs industriels

Les entraînements de moteurs industriels d'onsemi sont conçus pour une durabilité globale, fournissant des technologies efficaces et renouvelables et une alimentation intelligente. Selon l’analyse du marché des systèmes moteurs de 2020 (MSMA) publiée par le département de l’Énergie des États-Unis (DOE), les pompes et moteurs industriels consomment presque 15 % de la totalité de la capacité électrique américaine chaque année. L’analyse du marché des systèmes moteurs de 2020 estime également que 32,3 millions de tonnes métriques d'émissions de CO2 peuvent être économisées chaque année grâce à l’utilisation de VFD. Onsemi fabrique une large gamme de composants de semi-conducteurs VFD, y compris des commandes de grilles, des MOSFET, des IGBT et des EliteSiC.