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NTB011N15MC

Name: onsemi NTB011N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB011N15MC
Price: 3.59 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTB011N15MC

N° de fab. :

NTB011N15MC

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 150V N-FET D2PAK

Fiche technique:

NTB011N15MC Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,59 €	3,59 €
	2,51 €	25,10 €
	2,15 €	215,00 €
	2,11 €	1.055,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	2,06 €	1.648,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	75.4 A
Rds On - Résistance drain-source:	10.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	37 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3.75 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NTB011N15MC
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors

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Fiche technique

NTB011N15MC Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET PowerTrench® à grille blindée

Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi sont des MOSFET à canal N qui minimisent la résistance à l'état passant et maintiennent des performances de commutation supérieures avec la meilleure diode de corps à recouvrement progressif du marché. Ces MOSFET ont un facteur Q_rr inférieur à celui d'autres MOSFET. Les MOSFET PowerTrench® à grille blindée d'Onsemi réduisent le bruit de commutation/lebrouillage électromagnétique (EMI). Ces MOSFET se caractérisent par une faible R_DS(on) pour limiter les pertes en conduction et pour de faibles Q_G etcapacité, permettant de limiter les pertes de pilotes. Les MOSFET PowerTrench à grille blindée se présentent sous la forme d'un petit boîtier PQFN8 de 5 mm x 6 mm pour des conceptions compactes. Les applications typiques comprennent le redressement synchrone (SR), les alimentations électriques CA-CC et CC-CC, les adaptateurs AC-DC (USB Power Delivery) SR, et les commutateurs de charge.