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NSS40302PDR2G

Name: onsemi NSS40302PDR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS40302PDR2G
Price: 1.56 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NSS40302PDR2G

N° de fab. :

NSS40302PDR2G

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A

Fiche technique:

NSS40302PDR2G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,56 €	1,56 €
	0,989 €	9,89 €
	0,664 €	66,40 €
	0,525 €	262,50 €
	0,48 €	480,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,424 €	1.060,00 €
	0,408 €	4.080,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	NPN, PNP
Configuration:	Dual
Courant CC max. du collecteur:	3 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	40 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	40 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V, 7 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	82 mV, 135 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	783 mW
Produit gain-bande passante fT :	100 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	NSS40302PD
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V
Gain de courant CC hFE max.:	200 at 10 mA, 2 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	143 mg

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Fiche technique

NSS40302PDR2G Fiche technique

PCN

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

Transistors à faible VCE(sat) e2PowerEdge

Les transistors Onsemi e2PowerEdge à basse VCE_(sat) sont des dispositifs miniatures et montés en surface à ultra-faible tension de saturation (VCE_(sat)) et à capacité de gain élevé en courant. Ils sont conçus pour des applications de commutation à haute vitesse et à basse tension, où une régulation efficace et abordable de la consommation d'énergie s'avère essentielle. Les applications standard sont des convertisseurs CC-CC et la gestion d’alimentation électrique dans des produits portables et alimentés par batteries tels que des téléphones cellulaires et sans fil, des PDA, des ordinateurs, des imprimantes, des appareils photo numériques et des lecteurs MP3. D'autres applications sont des commandes de moteur sous basse tension dans les produits pour supports de mémoires de grandes capacités tels que des lecteurs de disques et de bandes. Ils peuvent servir au déploiement de coussins gonflables et à des grappes d’instruments dans l’industrie automobile. Le gain de courant élevé permet le pilotage direct de dispositifs e2PowerEdge onsemi à partir de sorties de commande PMU ’s, et le gain linéaire (bêta) en fait des composants idéaux dans des amplificateurs analogiques.