NSS40300MDR2G Transistors bipolaires - BJT

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Configuration Courant CC max. du collecteur Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Collecteur - Tension de base VCBO Émetteur - Tension de base VEBO Tension de saturation collecteur-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Produit gain-bande passante fT Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Conditionnement
onsemi Transistors bipolaires - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP 2.356En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 PNP Dual 3 A 40 V 40 V 7 V 135 mV 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C NSS40300MD Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated NSS40300MDR2G
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT N/A
Si PNP Dual 3 A 40 V 40 V 7 V 783 mW 100 MHz - 55 C + 150 C