Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NSS20200DMTTBG

Name: onsemi NSS20200DMTTBG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS20200DMTTBG
Price: 0.87 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NSS20200DMTTBG

N° de fab. :

NSS20200DMTTBG

Fab. :

onsemi

Description :

Transistors bipolaires - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR

Fiche technique:

NSS20200DMTTBG Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NSS20200DMTTBG

En stock: 2.977

Stock:: 2.977 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,877 €	0,88 €
	0,55 €	5,50 €
	0,359 €	35,90 €
	0,277 €	138,50 €
	0,251 €	251,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,217 €	651,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	WDFN6
Configuration:	Dual
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	20 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	20 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	250 mV
Série:	NSS20200DM
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	220
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NSS20200DMTTBG Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Transistors à faible VCE(sat) e2PowerEdge

Les transistors Onsemi e2PowerEdge à basse VCE_(sat) sont des dispositifs miniatures et montés en surface à ultra-faible tension de saturation (VCE_(sat)) et à capacité de gain élevé en courant. Ils sont conçus pour des applications de commutation à haute vitesse et à basse tension, où une régulation efficace et abordable de la consommation d'énergie s'avère essentielle. Les applications standard sont des convertisseurs CC-CC et la gestion d’alimentation électrique dans des produits portables et alimentés par batteries tels que des téléphones cellulaires et sans fil, des PDA, des ordinateurs, des imprimantes, des appareils photo numériques et des lecteurs MP3. D'autres applications sont des commandes de moteur sous basse tension dans les produits pour supports de mémoires de grandes capacités tels que des lecteurs de disques et de bandes. Ils peuvent servir au déploiement de coussins gonflables et à des grappes d’instruments dans l’industrie automobile. Le gain de courant élevé permet le pilotage direct de dispositifs e2PowerEdge onsemi à partir de sorties de commande PMU ’s, et le gain linéaire (bêta) en fait des composants idéaux dans des amplificateurs analogiques.