NSS12100UW3TCG Transistors bipolaires - BJT

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Configuration Courant CC max. du collecteur Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Collecteur - Tension de base VCBO Émetteur - Tension de base VEBO Tension de saturation collecteur-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Produit gain-bande passante fT Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Conditionnement
onsemi Transistors bipolaires - BJT 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3 2.800En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3.000

Si SMD/SMT WDFN3 PNP Single 1 A 12 V 12 V 5 V 400 mV 1.1 W 200 MHz - 55 C + 150 C NSS12100UW Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated NSS12100UW3TCG
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT N/A
Si PNP Single 1 A 12 V 12 V 5 V 1.1 W 200 MHz - 55 C + 150 C