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NSF080120L3A0Q

Name: Nexperia NSF080120L3A0Q
Brand: Nexperia
SKU: 771-NSF080120L3A0
Price: 7.04 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-NSF080120L3A0

N° de fab. :

NSF080120L3A0Q

Fab. :

Nexperia

Description :

SiC MOSFET TO247 1.2KV 36A N-CH SIC

Fiche technique:

NSF080120L3A0Q Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	36 A
Rds On - Résistance drain-source:	120 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.9 V
Qg - Charge de grille:	44 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	202 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	14 ns
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	14 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934665928127

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Fiche technique

NSF080120L3A0Q Fiche technique (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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